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    Title: 二硒化銅銦薄膜之硫化後處理研究
    Authors: 黃景良
    孫景渙
    康智發
    Contributor: 圖書資訊館
    Keywords: CuIn(Se,S)2
    射頻濺鍍法
    硫化法
    退火
    Date: 2010-03-20
    Issue Date: 2010-04-22 16:26:01 (UTC+8)
    Abstract: 本研究以硫化法成長CuIn(Se,S)2 薄膜,此方法需先以射頻濺鍍系統成長一CuInSe2 預沉積層薄膜,接著以硫化法進行硫化。製程過程除了硫化法於大氣中成長外,其餘製程皆在低真空環境採取物理氣相沉積法方式成長鍍製。本論文的研究方法是採用硫化法去改善二硒化銅銦薄膜的硒易散失之問題,二硒化銅銦薄膜以濺鍍系統進行預沉積層之鍍製,接著在一訂製的石英爐管系統中進行硫化;CuInSe2 薄膜在硫分子蒸汽壓的環境下進行硫化,目的在於以硫原子去替代易散失的硒原子,使晶格表面更平整,且完成之結構也會降低介面之間的缺陷,可以提高薄膜太陽能模組的效率,增加商業化成品良率。
    Appears in Collections:[機械工程系所] 中華民國第二十屆燃燒與能源學術研討會

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