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    Title: CIS薄膜太陽能電池之Mo背電極和CIS薄膜的製造與特性分析
    Authors: 黃景良
    陳宏恩
    黃姿蒨
    Keywords: CuInS2
    CIS
    硫化法
    Date: 2008-11-08
    Issue Date: 2010-02-04 11:35:58 (UTC+8)
    Abstract: 本研究主要以真空濺鍍機(Sputter)與電子束蒸鍍機(EBE)系統成長Mo/Cu-In層,再以硫化法成長CuInS2(CIS)薄膜。製程方面除了硫化法於大氣環境下進行外,其餘皆在低真空環境中採取物理氣相沉積法(PVD)成長薄膜。本實驗研究方法不同於傳統以共蒸與硒化法製造CuInSe2薄膜,可大幅的降低製造成本與製程時間。
    由於CuInS2薄膜太陽能是利用Mo金屬薄膜來當作太陽能元件的背電極,主要功用是作為歐姆接觸。本實驗使用濺鍍功率100W到600W將Mo薄膜沉積在玻璃基底。由膜厚分析中發現,以600W所鍍製之Mo薄膜表面均勻性較佳。並藉由電性分析得知,Mo薄膜與CuInS2(CIS)薄膜為歐姆接觸。另外在硫化部分,以425℃硫化60分鐘與90分鐘可得到較均一的CuInS2的相。不過In在硫化的過程中,會因為硫化時間的增加與硫化溫度升高而加快流失。導致硫化後的CuInS2峰值強度降低,不過可藉由調高預沉積Cu-In層的In的比例來解決問題。CuInS2薄膜經由電性量測結果顯示為P-type,載子濃度、遷移率與片電阻,各在1019~1020(cm-3)、10-2~10-1(cm2/V-sec)與10~102(Ω/cm2)之間,與文獻資料相差不大,故確定本研究方法的可行性。
    Appears in Collections:[機械工程系所] SME 2008第六屆全國精密製造研討會-國際製造工程學會中華民國分會

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