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    Title: 奈米光觸媒材料應用技術與開發-子計畫三:可見光光觸媒薄膜製備及其光電化學之研究(2/3)
    Authors: 黃昭銘
    陳龍泉
    張清文
    潘明鈞
    何義麟
    曾智偉
    Keywords: 化學水浴法
    滲雜Cu的ZnS薄膜
    光電流
    產氫
    Date: 2006-07-31
    Issue Date: 2009-12-30 14:59:37 (UTC+8)
    Abstract: 本研究已成功使用化學水浴法製備面積可達50 mm × 50 mm 具可見光作用摻雜Cu 的ZnS 薄膜。因摻雜的銅可以取代鋅的位置,在XRD 結果中只有ZnS 晶型。由(αhν)2對 hv 作圖所得的能階值從2.2 到2.52 eV。由光電流及產氫數據可明顯看出Φ = 0.05有最佳的實驗結果,光電流與產氫數據分別為2.11 mA/cm2 及167 μmolh-1。將Φ = 0.05薄膜光電極進行平帶電位量測,由Mott–Schottky 圖可知該薄膜的平帶電位為-0.13V(相對於AgCl 參考電極)。
    Appears in Collections:[環境工程系所] 研究計畫

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