English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 25338/25933 (98%)
Visitors : 5810690      Online Users : 411
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ksu.edu.tw/handle/987654321/6390


    Title: 奈米光觸媒材料應用技術與開發-總計畫及子計畫五(3/3)
    Authors: 衛祖賞
    盧陽明
    黃昭銘
    陳龍泉
    粘譽薰
    張肇麟
    徐慧貞
    Date: 2007-07-31
    Issue Date: 2009-12-30 13:37:54 (UTC+8)
    Abstract: 本研究計畫含三個子計畫: 子計畫一氣相沉積製程製備高效率固定化奈米結構二氧化鈦之研究,子計畫三可見光光觸媒薄膜製備及其光電化學之研究與子計畫四奈米可見光光電極對製備及於液相反應之應用。在子計畫一中,使用液相沉積法(liquid phase deposition, LPD)和AAO 之奈米孔洞輔助成長方式,製作不同長短之TiO2 奈米棒陣列,並探討不同製程參數對奈米棒成長特性之影響。結果顯示:能以AAO模板結合液相沉積(LPD)製程進行TiO2 奈米棒陣列之製備,藉由控制AAO 模板厚度以長出能自我站立之TiO2 奈米棒陣列。另外,經高溫600℃煅燒後之TiO2 薄膜會由原本非晶質的結構轉變為銳鈦礦之結構,其結構較為穩定,但晶粒較粗大。在子計畫三中,成功地利用反應性DC/RF 電漿共濺鍍法與化學水浴法成長含S 系列之可見光光觸媒薄膜,探討製備參數對光觸媒薄膜基本特性及其功能性之影響。研究成果為於鹼性條件下成長Ni-doped ZnS 在導電玻璃上,改變操作參數(Ni 藥劑濃度),探討Ni-doped ZnS 薄膜的成長機制。歸納以上結果可以得知,利用反應性共濺鍍法或化學水浴法,可以製備出高品質、大面積和均勻性佳之薄膜,非常適合於光觸媒薄膜製備之應用。在子計畫四中,利用P-25 二氧化鈦為原料經水熱法製備二氧化鈦奈米管(titanium dioxide nanotub, TiNT),討論水熱程序NaOH 濃度、時間、酸洗及水洗等變數對TiNT 性質的影響;此外於製備TiNT 樣品中加入PEG,製得碳素摻雜TiNT,比較與未摻雜者性質之差異。以摻雜碳素之TiNT 為原料製備PEG-TiNT/Ti 電極,探討反應及製程變數對電極光電催化酚降解反應之效應。
    Appears in Collections:[電子工程系所] 研究計畫

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    952745E168001URD.pdf404KbAdobe PDF478View/Open


    All items in KSUIR are protected by copyright, with all rights reserved.


    本網站之所有圖文內容授權為崑山科技大學圖書資訊館所有,請勿任意轉載或擷取使用。
    ©Kun Shan University Library and Information Center
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback