English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 25344/25939 (98%)
Visitors : 5838784      Online Users : 113
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ksu.edu.tw/handle/987654321/2091


    Title: 以MOS、Bi-CMOS差動放大器為設計基礎之壓控振盪器
    Authors: 張建鏵
    江淑音
    郭銘遠
    黃胤瑄
    Date: 2008-05-07
    Issue Date: 2009-08-11 01:27:58 (UTC+8)
    Abstract: 我們使用差動放大器的高輸入阻抗,高輸出阻抗以及高電壓增益的特性來建立一個振盪器。這樣的MOS差動放大振盪器是由差動放大器串接兩個Inverter。並且將兩個Inverter的輸出各別接到放大器對稱結構的輸入,所輸出的波形大部分傾向於正弦波波形,振盪器的組成主要是由主動負載差動放大器加上兩個Inverter所組成的。而一個標準的主動負載差動放大器必須為定電流源,因此為了電路的簡化我們採用NMOS電晶體當電流源。而另一種則是以BJT為主動元件的振盪器。其MOS壓控振盪器頻率最高達933.2 MHz,而Bi-CMOS則為817.1MHz。
    Appears in Collections:[電子工程系所] 學生專題

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    專題製作.pdf2078KbAdobe PDF1833View/Open


    All items in KSUIR are protected by copyright, with all rights reserved.


    本網站之所有圖文內容授權為崑山科技大學圖書資訊館所有,請勿任意轉載或擷取使用。
    ©Kun Shan University Library and Information Center
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback