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    Title: 濺鍍時基板運動狀態對氧化鋅共摻雜鎵鋁薄膜光電性質影響
    Authors: 邱瀧慶
    胡志強
    張慎周
    Contributor: 崑山科技大學電機工程學系
    Keywords: 基板運動狀態
    氧化鋅共摻雜鎵鋁
    Date: 2010-10-13
    Issue Date: 2013-07-08 10:43:18 (UTC+8)
    Publisher: 崑山科技大學
    Abstract: 為了探討濺鍍時基板運動狀態是否對氧化鋅共摻雜鎵鋁薄膜性質有影響?氧化鋅共摻雜鎵鋁薄膜以直線式連續濺鍍設備濺鍍製作,基板運動狀態設定為相對靶材位置直線移動與靜止兩種。後續再進行300℃、1小時的真空退火。將此兩種不同基板運動狀態製程的薄膜,量測其電阻率、穿透率、微結構、表面形貌。實驗結果顯示基板運動狀態對氧化鋅共摻雜鎵鋁薄膜電性質與微結構有明顯影響。濺鍍時基板靜止不動的薄膜與與一般批次式產生的薄膜X-光繞射結果相似,經退火結晶性變佳;然而基板直線移動的薄膜經退火結晶性反而變差。基板移動狀態下成膜的電阻率比基板靜止不動的薄膜低約4倍。兩種製程條件的薄膜經真
    空退火後電阻率接近一致,其值與濺鍍時基板移動時相似:8.14 x10-4Ω.cm。此結果推測與兩種原因有關:一. 直線式連續濺鍍機台,濺鍍時基板連續移動造成薄膜的非等向性應力。二.濺鍍時基板移動比基板靜止薄膜受熱均勻。
    Relation: 2010 海峽兩岸大學校長論壇暨科學技術研討會
    Appears in Collections:[機械工程系所] 2010 海峽兩岸大學校長論壇暨科學技術研討會

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